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联系我们IXYS 超结MOSFET
2019-07-11
IXYS 850V超结X级HiPerFET™ MOSFET
IXYS 850V 超结 X 级 HiPerFET™ MOSFET 是增强模式雪崩额定快速内在二极管。这些 MOSFET 采用高功率密度和低封装电感设计，具有低导通电阻 RDS(ON) 和低 QG 值。X 级 MOSFET 可采用国际标准封装。典型应用是开关模式和谐振模式电源、机器人和伺服控制以及其他类似应用。
Features
- Ultra low on-resistance RDS(ON) and gate charge Qgs
- Avalanche-rated
- Low package inductance
- High power density
- High efficiency
- Fast body diode
- International standard packages
- dv/dt ruggedness
- Easy to mount
- Space savings
应用
- Industrial switch-mode and resonant-mode power supplies
- DC-DC converters
- Electric vehicle battery chargers
- Power Factor Correction (PFC) circuits
- AC and DC motor drives
- Renewable energy inverters
- Robotics and servo controls
IXYS X3级HiPerFET™ 150V至300V功率MOSFET
IXYS X3级HiPerFET™ 150V至300V功率MOSFET是采用N沟道增强模式的耐雪崩快速体二极管。这些MOSFET具有低RDS(ON)、低栅极电荷 (QG) 和高功率密度。IXYS X3级HiPerFET™ 150V至300V功率MOSFET可在高速开关期间消除剩余能量，避免器件发生故障。典型应用包括直流-直流转换器、电源、机器人、伺服控制以及轻型电动汽车用电池充电器。
Features
- 高功率密度
- 易于安装
- 低RDS(ON)和QG
- 温度范围：-55°C至150°C
- 20Vgs和2.5Vgs(th)
- 出色的雪崩耐受能力
- 高dv/dt稳健性
- Si技术
- 低电感封装
- 快速软恢复体二极管
- 国际标准封装
应用
- 轻型电动汽车用电池充电器
- 开关中的同步整流
- 电源
- 电机控制
- 直流-直流转换器
- 不间断电源
- 电动叉车
- D类音频放大器
- 电信系统
- 机器人和伺服控制
IXYS X4级HiPerFET™ 100V至150V功率MOSFET
IXYS X4级HiPerFET™ 100V至150V功率MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术。得益于该技术，这些功率MOSFET具有极低的电阻RDS(on)和栅极电荷Qg。低导通电阻可降低导通损耗；另外还可降低输出电容中存储的能量，从而最大限度地降低开关损耗。由于栅极电荷低，因此可在轻负载时实现更高的效率并且栅极驱动要求更低。这些MOSFET还可耐雪崩，并具有出色的dv/dt性能。这些MOSFET的导通电阻具有正温度系数，因此可以并联工作，以满足更高的电流要求。
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