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ON Semiconductor 宽带隙碳化硅器件

2019-07-18
安森美半导体宽带隙碳化硅 (SiC) 器件采用全新技术,与硅器件相比,可提供出色的开关性能和更高的可靠性。该器件可实现如下系统优势:提高系统效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸并降低成本。安森美半导体的碳化硅产品系列包括650V和1200V二极管、650V和1200V IGBT以及碳化硅二极管功率集成模块 (PIM)、1200V MOSFET和碳化硅MOSFET驱动器以及符合AEC-Q100标准的器件。

Features

  • 快速开关
  • 低功耗
  • 功率密度高
  • 工作温度高
  • 效率高
  • 紧凑型解决方案
  • 重量轻
  • 系统成本低
  • 可靠性高

应用

  • 太阳能升压转换器和逆变器
  • 功率因数校正
  • 电动汽车充电
  • 不间断电源 (UPS)
  • 服务器和电信电源

性能图

Performance Graph - ON Semiconductor 宽带隙碳化硅器件

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