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IXYS 超结MOSFET

2019-07-11

IXYS 850V超结X级HiPerFET™ MOSFET

IXYS 850V 超结 X 级 HiPerFET™ MOSFET 是增强模式雪崩额定快速内在二极管。这些 MOSFET 采用高功率密度和低封装电感设计,具有低导通电阻 RDS(ON) 和低 QG 值。X 级 MOSFET 可采用国际标准封装。典型应用是开关模式和谐振模式电源、机器人和伺服控制以及其他类似应用。

Features

  • Ultra low on-resistance RDS(ON) and gate charge Qgs
  • Avalanche-rated
  • Low package inductance
  • High power density
  • High efficiency
  • Fast body diode
  • International standard packages
  • dv/dt ruggedness
  • Easy to mount
  • Space savings

应用

  • Industrial switch-mode and resonant-mode power supplies
  • DC-DC converters
  • Electric vehicle battery chargers
  • Power Factor Correction (PFC) circuits
  • AC and DC motor drives
  • Renewable energy inverters
  • Robotics and servo controls



IXYS X3级HiPerFET™ 150V至300V功率MOSFET

IXYS X3级HiPerFET™ 150V至300V功率MOSFET是采用N沟道增强模式的耐雪崩快速体二极管。这些MOSFET具有低RDS(ON)、低栅极电荷 (QG) 和高功率密度。IXYS X3级HiPerFET™ 150V至300V功率MOSFET可在高速开关期间消除剩余能量,避免器件发生故障。典型应用包括直流-直流转换器、电源、机器人、伺服控制以及轻型电动汽车用电池充电器。

Features

  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 低RDS(ON)和QG
  • 温度范围:-55°C至150°C
  • 20Vgs和2.5Vgs(th)
  • 出色的雪崩耐受能力
  • 高dv/dt稳健性
  • Si技术
  • 低电感封装
  • 快速软恢复体二极管
  • 国际标准封装

应用

  • 轻型电动汽车用电池充电器
  • 开关中的同步整流
  • 电源
  • 电机控制
  • 直流-直流转换器
  • 不间断电源
  • 电动叉车
  • D类音频放大器
  • 电信系统
  • 机器人和伺服控制


IXYS X4级HiPerFET™ 100V至150V功率MOSFET

IXYS X4级HiPerFET™ 100V至150V功率MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术。得益于该技术,这些功率MOSFET具有极低的电阻RDS(on)和栅极电荷Qg。低导通电阻可降低导通损耗;另外还可降低输出电容中存储的能量,从而最大限度地降低开关损耗。由于栅极电荷低,因此可在轻负载时实现更高的效率并且栅极驱动要求更低。这些MOSFET还可耐雪崩,并具有出色的dv/dt性能。这些MOSFET的导通电阻具有正温度系数,因此可以并联工作,以满足更高的电流要求。

Features

  • 低导通电阻RDS(ON) 和栅极电荷Qg
  • 高dv/dt耐受能力
  • 出色的雪崩耐受能力
  • 国际标准封装

应用

  • 开关电源中的同步整流
  • 电机控制(48V至80V系统)
  • 直流-直流转换器
  • 不间断电源
  • 电动叉车
  • D类音频放大器
  • 电信系统


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